SOI硅壓阻式壓力敏感芯片：
中化天康科技（南京）有限公司自主研發(fā)的SOI系列硅壓阻式壓力敏感芯片，是用來(lái)制作耐高溫、高穩(wěn)定性、耐輻射的壓力傳感器核心元件。芯片最高溫度可達(dá)400℃，封裝后芯體溫度可達(dá)225℃。
用SOI芯片制作的壓力傳感器廣泛應(yīng)用于軍事工程、核能工程、工業(yè)控制、化工、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)等領(lǐng)域。
工藝簡(jiǎn)介：
采用SOI硅片為襯底材料，絕緣薄層上隔離硅電阻替代擴(kuò)散硅電阻，通過(guò)微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制作出SOI硅壓阻式壓力敏感芯片。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該芯片具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：
1、工作溫度高，最高能達(dá)到400℃；
2、長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，SOI長(zhǎng)期穩(wěn)定性能達(dá)到0.02% FS/年；
3、芯片一致性好，由于光刻次數(shù)少，前部工藝少，所以芯片加工具有很好的一致性。
