2023年2月，中化天康“SOI硅壓阻式壓力敏感芯片”項目取得了階段性進展，實現(xiàn)了產(chǎn)品工藝的自主研發(fā)，大大縮短了研發(fā)周期，降低了成本，有效確保了產(chǎn)品的一致性。研發(fā)出的多規(guī)格新型高溫壓力芯片和傳感器芯體產(chǎn)品性能良好，常溫下，非線性誤差均在0.1％以下，具有良好的輸出特性；適用溫度范圍寬，能夠適應150℃和-50℃的高、低溫極限環(huán)境，且電壓輸出穩(wěn)定，達到了預期期望值，相關產(chǎn)品均取得第三方檢測報告。
? ?
同時，公司采用自主研發(fā)的SOI壓力敏感芯片作為核心元件，用絕緣膜電隔離技術替代了傳統(tǒng)的PN結電隔離技術，相比于常規(guī)的擴散硅壓力傳感器，具有更好的穩(wěn)定性。在封裝結構方面采用小體積充油式耐高溫高壓結構，充以特殊的硅油，并進行高寬溫區(qū)的老化和補償?shù)?，環(huán)境適用性強、可靠性高、穩(wěn)定性好。
? ?
? ? ?? 中化天康目前已建成一條完整的MEMS芯體研發(fā)產(chǎn)線，可完成整個生產(chǎn)工藝：濕法腐蝕—靜電鍵合—劃片—固定芯片-引線鍵合-膜片焊接-硅油充灌-鋼珠焊接-壓力疲勞-溫度老練-電老練-穩(wěn)定性篩選-溫漂篩選-靜態(tài)性能篩選-電子束焊接-環(huán)境應力篩選。未來中化天康亦將繼續(xù)全力以赴、砥礪前行，加快芯片產(chǎn)業(yè)化進度，為公司做優(yōu)做強貢獻力量。
